摘要: 同质结和同质超晶格是一类重要的结构并在先进的电子和光电子器件中得到了广泛应用。然而，目前人工操纵二维(2D)单分子层中的晶相仍然具有挑战性，尤其是试图在过渡金属二卤族化合物(TMDs)单分子层中设计横向均质结。在此，我们证明了二维WS2单层平面上具有交替1T和2H域的横向均质超晶格(MLHS)。在MLHS中，2H结构域在二维平面上具有周期性的横向分布，并被电位阱隔离，在二维平面上具有明显的结界面和发光特性。本工作对TMD单分子层的研究可以进一步理解单层平面内的横向同质结和同质超晶格，为调制TMD单分子层的光学和电子行为提供了另一种途径。

完成人：陈鑫研究员（戴宁教授工作室）

学术/社会影响：ACS Nano 2022, 16, 597−603