Ta掺杂MoSe2同质结光电探测器件

作者:王李金 时间:2022-03-31 点击数:


在二维层状材料家族中,得到实验验证的材料种类已经达到上百种,基于这些丰富的层状二维材料,各种类型的结型光电探测器已经被广泛研究。这些探测器可以工作在零偏压条件下,并且具有高灵敏度以及快速响应的特性,使得结型光电探测器适用于低功耗、高性能集成电路。相比于异质结光电探测器,同质结光电探测器具有连续的能带结构,这有利于载流子顺利流通,因此同质结光电探测器具有更快的响应速度和更高的响应率。

本工作研究了MoSe2材料的替位掺杂,通过在化学气相沉积方法中控制元素配比,获得了掺杂浓度可调的MoSe2材料。利用第一性原理研究了Ta替位原子对材料的p型掺杂效应,并从实验上验证了材料的导电性随着Ta掺杂浓度的升高逐渐从n型到双极型再到p型的转变。利用这种载流子调控技术实现了高性能的同质pn结光电探测器和反相器,该器件具有超快的响应速度和宽谱段的探测能力,如图2所示。该成果以题为“Substitutionally doped MoSe2 for high-performance electronics and optoelectronics”发表在Small, 17, 2102855 (2021).

图表描述已自动生成

2Ta替位MoSe2光伏型探测器

完成人:仲方、贺婷、胡伟达(胡伟达教授工作室)

学术影响:Small, 17, 2102855 (2021)

 

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