摘要：基于二维(2D)过渡金属二卤族化合物的半导体器件可以辅助克服硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的尺度限制。然而，原子薄器件的发展还需要在二维半导体中找到控制载流子类型的方法。在这里，我们展示了一个可以用扫描探针来控制沉积在二维过渡金属二硫族化合物上的铁电聚合物的极化的方式，以定义载流子的注入，并实现了p型和n型掺杂。该方法给予了横向的p-n、n-p、n-n和p-p同质结任意形成和改变。采用该方法制备的二碲化钼(MoTe₂) p-n同质结器件具有10³的高电流整流率和良好的光电性能(响应率为1.5 AW⁻¹)。还制造出了一些非传统的非易失性存储设备，比如没有物理源、漏极或栅极限制的电写和光读存储设备，以及刷新时间为100 s、写/擦除速度为10 µs的准非易失性存储设备。

完成人：王建禄研究员（戴宁教授工作室）

学术/社会影响：Nature Electronics 2020, 3, 43–50.